对于华为麒麟处理器而言，近日传来的消息无疑令人振奋。据知名博主爆料，外界盛传的国产N+3工艺（外界普遍认为其布线密度达到125mtr）极有可能是可靠的。专利文件中显示的H210G56指标，经过计算，确实对应125mtr的布线密度。

博主进一步指出，如果这一工艺得以实现，那么国产5nm工艺的稳定量产也将指日可待。

据悉，中芯国际的N+3工艺在晶体管密度上表现卓越，达到了125MTr/mm（即每平方毫米125亿个晶体管）。这一密度介于台积电的N6（113MTr/mm）与三星早期的5nm（127MTr/mm）工艺之间，相当于台积电的5.5nm工艺水平。

以14nm工艺为基准（密度约35MTr/mm），N+3工艺的密度提升幅度超过了250%，充分展示了中芯国际在FinFET架构上的持续优化能力。

尽管N+3的命名容易让人联想到“等效5nm”，但其实际性能和功耗表现更接近于台积电的N7P（7nm增强版）和N6工艺。这意味着在相同晶体管数量下，中芯国际N+3的能效可能比台积电的N5/N4工艺落后约15%~20%，主要原因是EUV光刻机的短缺导致的工艺复杂度不足。然而，对于长期依赖成熟制程的国产芯片而言，这一进步已经足够打破多项技术瓶颈。

此前有行业人士透露，如果华为海思麒麟芯片采用N+3工艺，其性能有望接近骁龙888的水平，足以支撑中高端手机市场的需求。有业内人士猜测，即将推出的麒麟9300可能会搭载这一先进的工艺。